半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田実 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177111
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368085
特許番号：特許第3418615号
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の方向に延びて配置される第1の配線と、第1の方向と交差する第2の方向に延びて第1の配線の上方に配置される第2の配線とを接続した多層配線構造の半導体素子において、第1の配線に沿って第1の配線上に部分的に形成された長方体形状の第1の導体部と、第2の配線に沿って第2の配線下に部分的に形成された長方体形状の第2の導体部とを備え、第1の導体部の上面を構成する第1の方向に延びる長辺は、第2の配線の第1の方向の幅よりも長く、第2の導体部の下面を構成する第2の方向に延びる長辺は、第1の配線の第2の方向の幅よりも長く、上記導体部が互いに接触して第1の配線と第2の配線の接続がなされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：