特許

J-GLOBAL ID：201103041275186920

スタティックRAM及び半導体集積回路

発明者： 竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026337
特許番号：特許第3986767号
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 絶縁表面上のNチャネル型薄膜トランジスタを用いて形成されたスタティックRAMであって、 前記Nチャネル型薄膜トランジスタは、活性層の一方の面に第1の絶縁膜を介して対向する第1のゲイト電極及び該活性層の他方の面に第2の絶縁膜を介して対向する第2のゲイト電極を有し、 前記第1のゲイト電極は、前記絶縁表面と前記活性層との間に、前記第1の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記Nチャネル型薄膜トランジスタのソースに接すると共に前記ソースの端部を越えて延在せず重なるように設けられ、かつ、前記Nチャネル型薄膜トランジスタのドレインに重ならないように設けられていることを特徴とするスタティックRAM。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 331 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-294076
  
• 特開平2-210871
  
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-250780   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平2-294076
  
• 特開平2-210871
  
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-250780   出願人：日本電気株式会社