特許

J-GLOBAL ID：201103041619434953

固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 崔 善
出願人/特許権者： クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
代理人 (8件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  吉田 尚美 ,  中村 綾子 ,  深川 英里 ,  森本 聡二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069991
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286409
特許番号：特許第4542660号
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型半導体基板の表面内に形成される第2導電型ウェル領域と、 前記第2導電型ウェル領域内に形成される水平電荷伝送領域と、 前記水平電荷伝送領域の一定領域に、一定の間隔で両端にバーズビーク部分を形成させて前記水平電荷伝送領域の表面より高く形成した絶縁膜と、 前記絶縁膜を含む前記半導体基板の全面に形成されるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に互いに分離して繰り返し形成され、一方の端部が前記絶縁膜と重なるように形成される複数の第1ポリゲートと、 前記第1ポリゲートの前記絶縁膜と重なっていない端部と当該絶縁膜と隣接する絶縁膜との間の水平電荷伝送領域に形成される第1導電型不純物領域と、 前記第1ポリゲートを含む全面に形成される層間絶縁膜と、 前記第1導電型不純物領域および前記隣接する絶縁膜の上部並びに前記第1ポリゲートに両端部が重なるように、前記層間絶縁膜上に繰り返して形成される第2ポリゲートと を含むことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ( 200 6.01) ,  H01L 21/339 ( 200 6.01) ,  H01L 29/762 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 29/76 301 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-034940
  
• 特開平4-260370
  
• 電荷転送素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-029742   出願人：ソニー株式会社