特許

J-GLOBAL ID：201103041810992966

発光装置及びその作製方法

発明者： 村上 智史 ,  高山 徹 ,  秋元 健吾
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197367
特許番号：特許第4101511号
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 絶縁表面上に形成されたTFTと、 前記TFT上に形成された無機材料からなる第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第2の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、 前記第2の絶縁膜上に形成された無機材料からなる第3の絶縁膜と、 前記第3の絶縁膜に全体が重なって形成された第1の電極と、 前記第1の電極と、有機化合物層と、第2の電極とを有する発光素子と、 を有し、 前記第2の絶縁膜の前記コンタクトホールが形成されている部分には、前記第3の絶縁膜が形成されていないことを特徴とする発光装置。

IPC (7件)：

H05B 33/04 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 27/32 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H05B 33/04 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電気光学装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-194802   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-070370   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機EL素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-235486   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 有機アクティブEL発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357028   出願人：出光興産株式会社