特許
J-GLOBAL ID：201103042285932139

CMOSイメージセンサーのフォトダイオード、その製造方法及びイメージセンサーの製造方法

発明者：
ヤン ウードワード

ヤン ウードワード について

, 
李 柱 日

李 柱 日 について

, 
李 蘭 伊

李 蘭 伊 について


出願人/特許権者：
クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー について


代理人 (8件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  吉田 尚美 ,  中村 綾子 ,  深川 英里 ,  森本 聡二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053234
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317512
特許番号：特許第4390896号
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 イメージセンサーのフォトダイオードにおいて、 フィールド領域及び活性領域を備えた第1導電型の半導体層と、 上記フィールド領域から光感知領域を隔てて、上記活性領域上に形成されたゲートと、 上記半導体層内に形成され、一端側が上記フィールド領域から離隔して位置し、他端側が上記ゲートに整合して位置する第2導電型の第1ドーピング領域と、 上記第1ドーピング領域と上記半導体層の表面との間に形成され、一端側が上記フィールド領域に整合するとともに、他端側が上記ゲートに整合し、上記第1ドーピング領域より幅が広い第1導電型の第2ドーピング領域とを含み、 上記半導体層と上記第2ドーピング領域とが、上記フィールド領域と上記第1ドーピング領域との間で電気的に接続していることを特徴とするイメージセンサーのフォトダイオード。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01) ,  H04N 5/335 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H04N 5/335 A
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (18件)
  • 特開昭59-198756
  • 固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203817   出願人：株式会社東芝
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-248362   出願人：株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM