特許
J-GLOBAL ID：201103042328224281

集積回路

発明者：
ナイジェル・ジー・ケーブ

ナイジェル・ジー・ケーブ について

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キャスリーン・シー・ユ

キャスリーン・シー・ユ について

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ジャノス・ファーカス

ジャノス・ファーカス について


出願人/特許権者：
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150521
特許番号：特許第4615078号
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 集積回路であって、 半導体基板(12)であって、素子領域(109)、ボンド・パッド領域(111)及びエッジ・シール領域(106)を有する半導体基板(12)と、 前記ボンド・パッド領域(111)上の第1誘電体層(24,32,36,44,48)であって、15.0ギガパスカル未満のヤング率を有する第1誘電体層(24,32,36,44,48)と、 前記ボンド・パッド領域(111)内に位置し、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)上にある第1導電性ボンド・パッド(90,88,110)であって、外周を有する第1導電性ボンド・パッド(90,88,110)と、 前記ボンド・パッド領域(111)内にあり、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)に形成された複数の開口部内にそれぞれ形成された複数の第1導電性支持構造(28,40,52)であって、前記第1導電性ボンド・パッド(90,88,110)の外周の外側に位置し、前記第1導電性ボンド・パッド(90,88,110)から電気的に絶縁されている前記複数の第1導電性支持構造(28,40,52)と を備え、前記ボンド・パッド領域(111)は、前記素子領域(109)と前記エッジ・シール領域(106)との間に位置し、前記複数の第1導電性支持構造(28,40,52)は、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)の平坦性が維持されるように、前記ボンド・パッド領域(111)において、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)を、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)に加えられる所定の応力に抗して支持する、前記集積回路。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/88 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 27/04 T
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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