多層回路基板

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027399
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217545
特許番号：特許第4493140号
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 800°Cから1050°Cで焼成可能なガラス-セラミック材料からなる絶縁層を積層してなる多層回路基板の各絶縁層間に、Ag系の内部配線パターン及びランド電極を形成するとともに、前記多層回路基板の端面に、半円形状の凹部を形成し、該凹部の内壁に前記ランド電極の一部を露出させて成る多層回路基板において、前記各絶縁層間にランド電極と内部配線パターンとを接続する接続パターンを形成するとともに、該各接続パターンを平面視した時、積層厚み方向に隣接する絶縁層間で交互に形成されていることを特徴とする多層回路基板。

IPC (1件)：