化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人山口国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-026986
公開番号（公開出願番号）：特開2011-162844
出願日： 2010年02月09日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填した後に第1元素と第2元素を拡散熱処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のナノサイズの微細貫通孔を有するテンプレートを形成する工程と、電析法を用いて、前記テンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素が合金化された状態で前記化合物半導体を充填する工程とを有する化合物半導体極細線の製造方法。

IPC (7件)：

C25D 7/00 , B82B 3/00 , B82B 1/00 , C25D 5/50 , C25D 1/00 , C25D 5/10 , C01B 19/04

FI (7件)：

C25D7/00 R , B82B3/00 , B82B1/00 , C25D5/50 , C25D1/00 381 , C25D5/10 , C01B19/04 H

Fターム (8件)：

4K024AA17 , 4K024AB04 , 4K024BA12 , 4K024BC07 , 4K024CA01 , 4K024CA03 , 4K024CA16 , 4K024DB01

引用特許：

出願人引用 (6件)

特表平6-507143
電析による化合物薄膜の製造方法及びその化合物薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-246668 出願人：科学技術振興事業団
ナノ構造体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-290536 出願人：キヤノン株式会社

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