特許

J-GLOBAL ID：201103042491222687

化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体

発明者： 大貝 猛 ,  高尾 慶蔵 ,  香川 明男
出願人/特許権者： 国立大学法人 長崎大学
代理人 (1件)： 特許業務法人山口国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-026986
公開番号（公開出願番号）：特開2011-162844
出願日： 2010年02月09日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填した後に第1元素と第2元素を拡散熱処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のナノサイズの微細貫通孔を有するテンプレートを形成する工程と、 電析法を用いて、前記テンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素が合金化された状態で前記化合物半導体を充填する工程と を有する化合物半導体極細線の製造方法。

IPC (7件)：

C25D 7/00 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  C25D 5/50 ,  C25D 1/00 ,  C25D 5/10 ,  C01B 19/04

FI (7件)：

C25D7/00 R ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C25D5/50 ,  C25D1/00 381 ,  C25D5/10 ,  C01B19/04 H

Fターム (8件)：

4K024AA17 ,  4K024AB04 ,  4K024BA12 ,  4K024BC07 ,  4K024CA01 ,  4K024CA03 ,  4K024CA16 ,  4K024DB01