特許

J-GLOBAL ID：201103042551848246

成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法

発明者： 長谷川 敏夫 ,  河西 繁 ,  波多野 達夫 ,  内藤 洋右 ,  津田 栄之輔
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-214272
特許番号：特許第4599701号
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 高融点金属化合物ガスを用いて被処理体に成膜処理を施す成膜装置の排気系構造において、前記成膜装置に接続されて未反応ガスと反応副生成物とを含む不純物ガスを排気する排気通路と、この排気通路に介設されて排気ガス中に含まれる前記反応副生成物を除去するためのトラップ機構と、このトラップ機構、或いはこのトラップ機構よりも上流側の前記排気通路に設けられて前記成膜処理時に、前記トラップ機構内、或いは前記排気通路内に前記不純物ガス中の前記未反応ガスと反応して前記トラップ機構で捕獲されるべき化合物を形成する反応ガスを導入する反応ガス導入手段とを備えたことを特徴とする成膜装置の排気系構造。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 混入物の除去装置、これを用いた処理装置の真空排気系及びそのメンテナンス方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-119404   出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社
• 排ガス処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-171038   出願人：ソニー株式会社