特許
J-GLOBAL ID：201103042613587800

周期構造を有するマイクロプレート及びその製造方法

発明者：
田和 圭子

田和 圭子 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-097110
公開番号（公開出願番号）：特開2011-226925
出願日： 2010年04月20日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】 背面照射系で高感度な蛍光検出が可能なマイクロプレート及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 マイクロプレート(4)は、 表面に周期構造を有するベース基板(5)と、 周期構造の上に形成された金属層(6)と、 金属層の上に形成された消光抑制層(7)とを備え、 金属層が、表面プラズモン共鳴光を発生し得る金属で形成され、 ベース基板側から光が入射されて、表面プラズモン共鳴光によって増強された電場を発生させ、 発生した電場を蛍光分子の励起場として増強蛍光が消光抑制層側またはベース基板側から検出され、 屈折率が1.45より大きく2以下であり、入射される光及び増強蛍光に対して透過性を有する物質で、ベース基板が形成され、 表面プラズモン共鳴の共鳴角が4度以上45度以下になるように、周期構造のピッチが形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
蛍光顕微鏡または蛍光マイクロプレートリーダーにおいて使用され、観測対象の試料を搭載するためのマイクロプレートであって、 表面に周期構造を有するベース基板と、 前記周期構造の上に形成された金属層と、 前記金属層の上に形成された消光抑制層とを備え、 前記金属層が、表面プラズモン共鳴光を発生し得る金属で形成され、 前記ベース基板側から光が入射されて、表面プラズモン共鳴光によって増強された電場を発生させ、 発生した前記電場を蛍光分子の励起場として増強蛍光が前記消光抑制層側または前記ベース基板側から検出され、 屈折率が1.45より大きく2以下であり、入射される前記光及び前記増強蛍光に対して透過性を有する物質で、前記ベース基板が形成され、 表面プラズモン共鳴の共鳴角が4度以上45度以下になるように、前記周期構造のピッチが形成されていることを特徴とするマイクロプレート。
IPC (1件)：
G01N 21/64
FI (2件)：
G01N21/64 G ,  G01N21/64 E
Fターム (15件)：
2G043BA16 ,  2G043EA01 ,  2G043FA02 ,  2G043GA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043GB02 ,  2G043GB03 ,  2G043GB16 ,  2G043HA01 ,  2G043HA07 ,  2G043HA09 ,  2G043JA03 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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