半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184474
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015531
特許番号：特許第3344372号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】その表面に回路素子が形成された半導体チップの裏側面に、前記半導体チップの裏面に設けられた前記半導体チップと基板との絶縁を確保するのに十分な所定の厚さに形成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記半導体チップを接着剤を用いて少なくともその表面に配線が設けられた前記基板に接着する接着工程とを有してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：