特許
J-GLOBAL ID：200903069692214760

半導体装置の製造方法

発明者：
藤井 真二郎

藤井 真二郎 について

, 
前川 磐雄

前川 磐雄 について

, 
諏訪 修

諏訪 修 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019182
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219962
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】ウエハに大きな反りを生じることなく、幅広い温度で接着剤をウエハに接着できる接着剤付半導体素子のダイボンディング方法及びその方法で製造された耐リフロー性に優れた半導体装置を製造する。【解決手段】多数の半導体素子が形成されたウエハ4の裏面にフィルム状単層接着剤1を熱圧着して得る接着剤付ウエハに更にダイシングテープ6を貼り付け固着後、個別の半導体素子7に分割し、このフィルム状接着剤付き半導体素子を、ダイパットを持つリードフレームや有機基板などにダイボンディングして半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
多数の半導体素子が形成されたウエハ裏面にフィルム状単層接着剤を熱圧着して接着剤付ウエハとし、該接着剤付ウエハをダイシングテープに貼り付け固着して個別半導体素子に分割切断した後、前記ダイシングテープを剥離して得られる接着剤付き半導体素子を支持部材にダイボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/52 ,  C09J 7/00 ,  H01L 21/301
FI (4件)：
H01L 21/52 C ,  H01L 21/52 E ,  C09J 7/00 ,  H01L 21/78 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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