特許

J-GLOBAL ID：201103043105161420

半導体メモリ

発明者： 中田 俊司 ,  武藤 伸一郎 ,  森本 章治 ,  川江 健 ,  前田 諒二
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人金沢大学
代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-039738
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176168
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】Al-rich Al2O3の電荷蓄積層において、Alの組成の関数として電荷蓄積密度を解析し、電荷蓄積密度が最大となるような半導体メモリを提供する。【解決手段】半導体基板の上面に順次、トンネル障壁層、電荷蓄積層、ブロック障壁層、ゲート電極を積層し、電荷蓄積層の局在準位に電子を蓄積することによりトランジスタのしきい値電圧を変化させる半導体メモリにおいて、電荷蓄積層をアルミニウム過剰の酸化アルミニウム(Al-rich Al2O3)とし、そのアルミニウムの組成を所定の範囲に設定し、電荷蓄積層の電荷蓄積密度が最大値(極大値)を含む所定値以上になる構成とした。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の上面に順次、トンネル障壁層、電荷蓄積層、ブロック障壁層、ゲート電極を積層し、前記電荷蓄積層の局在準位に電子を蓄積することによりトランジスタのしきい値電圧を変化させる半導体メモリにおいて、 前記電荷蓄積層をアルミニウム過剰の酸化アルミニウム(Al-rich Al2O3 )とし、そのアルミニウムの組成を所定の範囲に設定し、前記電荷蓄積層の電荷蓄積密度が最大値(極大値)を含む所定値以上になる構成とした ことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (10件)：

5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083JA03 ,  5F083JA36 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-032911   出願人：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
• 電荷蓄積型メモリ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-422127   出願人：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社