特許

J-GLOBAL ID：201103043777355362

静電容量型圧力センサの製造方法

発明者： 石王 誠一郎 ,  鈴木 康利 ,  島岡 敬一 ,  船橋 博文
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218217
公開番号（公開出願番号）：特開2003-028740
特許番号：特許第4296731号
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板(10)と、 前記基板の一面に形成された第1の下部電極(21)、および、前記第1の下部電極の上に前記第1の下部電極とは第1の空洞部(22)を隔てて対向して形成されたダイアフラム状の第1の上部電極(23)を有する第1の容量部(20)と、 前記基板の一面に形成された第2の下部電極(31)、および、前記第2の下部電極の上に前記第2の下部電極とは第2の空洞部(32)を隔てて対向して形成されたダイアフラム状の第2の上部電極(33)を有する第2の容量部(30)と、 前記第1の空洞部と前記第2の空洞部とを連通する連通部(70)とを備える静電容量型圧力センサの製造方法であって、 シリコン基板よりなる前記基板(10)の前記一面に、拡散層によりなる前記第1、第2の下部電極(21、31)を形成する工程と、 前記基板(10)の前記一面全域にて、前記第1、第2の下部電極(21、31)の上に、第1の絶縁膜(41)を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜(41)上のうち前記第1、第2の空洞部(22、32)および前記連通部(70)に対応した部位に、犠牲層(80)を形成する工程と、 前記基板(10)の前記一面全域にて、前記犠牲層(80)および前記第1の絶縁膜(41)の上に、第2の絶縁膜(42)を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜(42)の上に前記第1、第2の上部電極(23、33)を形成する工程と、 前記基板(10)の前記一面全域にて、前記第1、第2の上部電極(23、33)および前記第2の絶縁膜(42)の上に、第3の絶縁膜(43)を形成する工程と、 前記基板(10)の前記一面にて、前記第1、第2の上部電極(23、33)の非形成領域に、前記第2、第3の絶縁膜(42、43)および前記犠牲層(80)を貫通して前記第1の絶縁膜(41)にまで到達する貫通穴(60)を形成する工程と、 前記貫通穴(60)から前記犠牲層(80)を除去する工程と、 前記基板(10)の前記一面全域にて、前記貫通穴(60)の内部および前記第3の絶縁膜(43)の上に保護膜(50)を形成することで、前記貫通穴(60)を封止して圧力基準室となる前記第1、第2の空洞部(22、32)および前記連通部(70)を形成する工程とを有することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。

IPC (3件)：

G01L 9/12 ( 200 6.01) ,  G01L 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/84 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 9/00 305 C ,  H01L 29/84 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 真空センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134333   出願人：株式会社リケン, 江刺正喜
• 静電容量型圧力センサ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-221683   出願人：北陸電気工業株式会社
• 圧力検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-012762   出願人：富士電機株式会社