特許

J-GLOBAL ID：201103044148462829

加熱装置およびウエハ処理装置

発明者： 稲垣 正祥
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296934
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110317
特許番号：特許第4573980号
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】円盤状セラミック基体、該円盤状セラミック基体内の外周部であって該円盤状セラミック基体の同心円上に形成されている複数の円弧状の外側主発熱体、該外側主発熱体よりも内側の前記円盤状セラミック基体内であって該円盤状セラミック基体の同心円上に形成されている複数の円弧状の内側主発熱体、前記円盤状セラミック基体内であって前記複数の外側主発熱体と前記複数の内側主発熱体との間にそれぞれ形成されている複数の補助発熱体、および前記複数の外側主発熱体と前記複数の内側主発熱体とで構成されているホイートストンブリッヂ回路を有する円盤状ヒータと、該ホイートストンブリッヂ回路のブリッヂ間電圧を測定するセンサと、該センサからの信号に応じて電圧の低い主発熱体の近傍に形成された補助発熱体を発熱させるように制御する発熱量制御装置とを具備することを特徴とする加熱装置。

IPC (5件)：

H05B 3/00 ( 200 6.01) ,  H05B 3/10 ( 200 6.01) ,  H05B 3/18 ( 200 6.01) ,  H05B 3/20 ( 200 6.01) ,  H05B 3/68 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H05B 3/00 370 ,  H05B 3/00 310 C ,  H05B 3/00 310 A ,  H05B 3/10 A ,  H05B 3/18 ,  H05B 3/20 328 ,  H05B 3/68

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭63-216283
  
• セラミックヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122588   出願人：京セラ株式会社
• 特開平2-232363
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-216283
  
• セラミックヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122588   出願人：京セラ株式会社
• 特開平2-232363