特許
J-GLOBAL ID：201103044468920078
現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
朝日奈 宗太
, 佐木 啓二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-318472
特許番号：特許第3779882号
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 α-メチルスチレン化合物とα-クロロアクリル酸エステル化合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストの現像に、アルコキシ基を有するカルボン酸エステルであって、全炭素数が5〜7の化合物から選択された1種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いることを特徴とする現像方法。
IPC (5件)：
G03F 7/32 ( 200 6.01)
, G03F 1/08 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/32
, G03F 1/08 L
, G03F 1/08 J
, G03F 7/039 501
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 569 E
