特許

J-GLOBAL ID：201103044827356655

単結晶引上げ方法

発明者： 森田 洋 ,  渡邉 英樹
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (2件)： 森 道雄 ,  穂上 照忠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275183
公開番号（公開出願番号）：特開2003-089592
特許番号：特許第3698080号
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 単結晶の原料溶融液を充填する坩堝と、この溶融液を加熱するヒーターと、坩堝内の溶融液表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、単結晶の引上げ域の周囲を囲繞して輻射熱の遮蔽とともに不活性ガス流れを整える整流治具とを具備する装置を用い、 前記坩堝内の溶融液表面に種結晶を接触させネック部を形成する際に、前記整流治具の下端と溶融液表面との距離を距離(1)として30〜130mmに設定して単結晶のネック部を直径6〜15mmで形成し、結晶を無転位化した後、前記整流治具の下端と前記溶融液表面との距離を距離(2)として15〜30mmに変更し、 そののち単結晶のショルダーを形成し、次いでボディ部を育成することを特徴とする単結晶の引上げ方法。 ただし、距離(1)(mm)>距離(2)(mm)とする

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 J

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶引上方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187813   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

審査官引用 (1件)

• 単結晶引上方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187813   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社