特許
J-GLOBAL ID：201103045220300835

半導体発光素子の製造方法

発明者：
梅田 浩

梅田 浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  小池 隆彌 ,  木下 雅晴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124489
特許番号：特許第3856639号
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (100)面から[01-1]方向にθ°傾いた面を主表面とする閃亜鉛鉱型結晶基板上に少なくとも発光層を形成したウエハを、複数個のチップに分割する半導体発光素子の製造方法において、 前記ウエハの表面の所定の位置に、化学エッチング法により、[01-1]方向およびウエハの厚み方向に直交する[011]方向に延伸する溝を形成する工程と、 前記ウエハの厚みをdとした時、前記基板の裏面の、前記ウエハの表面の所定の位置であって[011]方向に延伸する溝を形成する所定の位置に対し[01-1]方向にd×tanθで表わされる距離だけ離れた位置にけがき傷を入れる工程と、 前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハを複数個のチップに分割する工程とを含み、 前記複数個のチップに分割する工程は、 前記溝を形成する工程および前記けがき傷を入れる工程の後、前記ウエハを円筒体に対し押圧した状態で[011]方向に相対的に移動させて、(100)面に対してオフ角度を持たない第1の劈開面を利用して、前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハをバー状に分割する段階と、 前記段階の後、前記バー状に分割されたウエハを前記円筒体に対し押圧した状態で[01-1]方向に相対的に移動させて、(100)面に対してオフ角度を持つ第2の劈開面を利用して、前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハを複数個のチップに分割する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/78 V ,  H01L 21/78 S ,  H01L 33/00 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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