特許
J-GLOBAL ID：201103045285987765
高周波モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388878
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188337
特許番号：特許第3836367号
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数枚のセラミック薄板が積層されて形成された絶縁基体と、この絶縁基体の上面に形成された絶縁層とを備え、前記絶縁層の上面には、薄膜によって形成された配線パターンと、この配線パターンに接続され、薄膜によって形成された少なくとも抵抗、又は/及びコンデンサからなる電気部品とで構成される薄膜回路が形成され、前記絶縁基体は、少なくとも層間に形成された導電体と、厚み方向に形成された第1、第2の接続導体と、前記導電体に電気的に接続された状態で側面に形成された複数の電極部とを有し、前記第1の接続導体が前記配線パターンに接続されると共に、前記第2の接続導体が前記絶縁基体の凹部内に収納されたベアチップからなるICチップのワイヤと前記配線パターンとに接続され、前記凹部には、前記ICチップと前記ワイヤとを封止するための絶縁材からなる封止材が前記絶縁基体の下面に一致するように充填されたことを特徴とする高周波モジュール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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