特許
J-GLOBAL ID：201103045462708596

圧電磁器およびその製造方法並びに圧電素子

発明者：
佐々木 誠志

佐々木 誠志 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100909
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293624
特許番号：特許第3993395号
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化1に示した酸化物を主成分とし、 この主成分1molの質量に対して、第1副成分として、アンチモン(Sb),ニオブ(Nb)およびタンタル(Ta)からなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Sb2 O3 ,Nb2 O5 ,Ta2 O5 に換算して0.3質量%以上1.8質量%以下の範囲内で含有すると共に、 前記主成分1molの質量に対して、第2副成分として、ビスマス(Bi)を酸化物(Bi2 O3 )に換算して0.1質量%以上0.6質量%以下の範囲内で含有し、 かつ、ランタン(La)の原料として水酸化ランタン、ジルコニウム(Zr)の原料として比表面積が30m2/g以上50m2/g以下の酸化ジルコニウムがそれぞれ用いられると共に、酸素濃度80%以上の雰囲気中で焼成されたものである ことを特徴とする圧電磁器。 (式中、xは0.03≦x≦0.045、yは0.44≦y≦0.48をそれぞれ満たす範囲内の値である。)
IPC (5件)：
C04B 35/49 ( 200 6.01) ,  H01L 41/09 ( 200 6.01) ,  H01L 41/083 ( 200 6.01) ,  H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/24 ( 200 6.01)
FI (5件)：
C04B 35/49 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/18 101 J ,  H01L 41/22 A
引用特許：
審査官引用 (8件)
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