半導体装置とその雑音特性の改善方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134289
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323651
特許番号：特許第3459789号
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置に設けられた信号入出力用パッドと、このパッドの直下に設けたシールド用の導電層とからなる半導体装置において、前記信号入出力用パッドと前記導電層との間に寄生する寄生容量と動作周波数において共振するようなインダクタと付加容量とからなる直列回路を設け、前記パッドと前記導電層間のインピーダンスを大きくすることで前記パッドと前記導電層とを電気的に遮断するように構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：