特許
J-GLOBAL ID：201103045750986363
p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
丹羽 宏之
, 西尾 美良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-275513
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119454
出願日： 2009年12月03日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。【解決手段】アンモニア、アミン化合物から選ばれる1種以上の化合物と銅アミノポリカルボン酸錯体、銅ポリカルボン酸錯体から選ばれる1種以上の銅のキレート錯体が極性溶媒に溶解している酸化銅膜を形成せしめるに適した溶液を基材表面に塗布した後、不活性ガス中にて300°C〜700°Cで1分から3時間の熱処理することにより、p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
銅アミノポリカルボン酸錯体および/または銅ポリカルボン酸錯体が溶解した溶液を基材表面にスピンコート法、ディップ法、バーコート法、フローコート法、スプレーコート法の内のいずれかの方法により塗布する工程、基板表面に溶液を塗布した後、溶媒を揮発させて所定の厚さに溶液組成物を乾燥する工程、および第18族の希ガス族、窒素から選ばれる単独かまたは2種以上を組み合わせた不活性ガス雰囲気の中で300°C〜700°Cで1分から3時間の熱処理する工程を含むp型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F053AA03
, 5F053AA06
, 5F053BB08
, 5F053BB09
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053HH01
, 5F053HH05
, 5F053JJ01
, 5F053LL05
, 5F053PP03
, 5F053RR13
