特許
J-GLOBAL ID:201103045999574103

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-034933
特許番号:特許第3049040号
出願日: 1999年02月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ダイパッド部の裏面から突出し表面側から金型が押圧されたときに少なくともその押圧力が予め規定されている範囲内である場合に弾性変形する弾性部材をリードフレームに形成する工程と、前記ダイパッド部上に半導体素子を接着する工程と、下金型により前記弾性部材を前記ダイパッド部の表面側に押圧しながら前記リードフレームを上金型及び前記下金型により挟持して前記ダイパッド部の表面側を樹脂封止する工程と、前記リードフレームを前記上金型及び下金型から取り出して前記弾性部材への押圧を解放する工程と、前記ダイパッド部の裏面側を樹脂封止する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/28
FI (3件):
H01L 23/50 U ,  H01L 23/50 G ,  H01L 23/28 A
引用特許:
審査官引用 (1件)

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