特許
J-GLOBAL ID：201103046181544612
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-188538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358316
特許番号：特許第3715551号
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一対の電極間に少なくとも2種以上の金属元素を含有する複合酸化物膜からなる誘電体膜を用いたキャパシタを形成し、前記キャパシタ上にさらに絶縁性酸化膜と配線層を積層してなる半導体装置を製造する際、 前記キャパシタの形成工程は、 第1の電極を形成する第1電極形成工程と、 前記第1の電極上に前記誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、 前記誘電体膜上に第2の電極を形成する第2電極形成工程と、 前記第1電極形成工程と誘電体膜形成工程との間と前記第2電極形成工程の後のいずれかで0.5×133.322Pa以上500×133.322Pa以下の減圧下で昇温速度10°C/秒以上の急熱処理を行なう工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/8242
, H01L 27/10
, H01L 27/108
H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 461
, H01L 27/10 621 Z
