特許
J-GLOBAL ID：200903038607298907
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181675
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038003
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【構成】 基板上に強誘電体薄膜を成膜し、該強誘電体薄膜の表面をエッチングすることによって、表面の平坦化と共に前記強誘電体薄膜の膜厚を制御する。【効果】 本発明の強誘電体薄膜の製造方法を採用することにより、強誘電体薄膜の膜厚を精密に制御することができるとともに、強誘電体薄膜の表面の平坦化を図ることができるので、素子の特性の均質化を図ることができ、強誘電体薄膜のさらなる薄膜化、高集積化が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも強誘電体薄膜を含む複数の膜を成膜する強誘電体素子の製造方法であって、前記強誘電体薄膜を成膜した後、該強誘電体薄膜の表面をエッチングすることによって平坦化することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 29/78 371
, H01L 27/04 C
