特許

J-GLOBAL ID：201103046714755939

共有ソース線を備えたMRAMデバイス

発明者： ヨン、セイ・スン ,  ジョン、チェン ,  パーク、ドンキュ ,  アブ-ラーマ、モハメド・エイチ.
出願人/特許権者： クゥアルコム・インコーポレイテッド
代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-539889
公開番号（公開出願番号）：特表2011-508356
出願日： 2008年12月19日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

具体的な実施形態では、メモリデバイスは、第1のメモリセルおよび第2のメモリセルを含む。メモリデバイスはまた、第1のメモリセルに関連づけられた第1のビット線と第2のメモリセルに関連づけられた第2のビット線とを含む。メモリデバイスはまた、第1のメモリセルに結合され、第2のメモリセルに結合されたソース線を含む。メモリセルは、選択フィールド効果トランジスタを有している、回転転送トルク磁気抵抗メモリセルによって形成されることができる。メモリセルはまた、補足的なセルのペアとして形成されることができる。半分選択されたセルは、読み出し障害を防ぐために、それらを、それらにわたって、供給される。

請求項（抜粋）：

第1のメモリセルと、 第2のメモリセルと、 前記第1のメモリセルに関連づけられた第1のビット線と、 前記第2のメモリセルに関連づけられた第2のビット線と、 前記第1のメモリセルに結合され、前記第2のメモリセルに結合されたソース線と、 を備えている、メモリデバイス。

IPC (1件)：

G11C 11/15

FI (2件)：

G11C11/15 130 ,  G11C11/15 116

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-139013   出願人：株式会社ルネサステクノロジ