特許
J-GLOBAL ID：200903092616465780

不揮発性記憶装置

発明者：
日高 秀人

日高 秀人 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139013
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134027
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】読出しディスターブを抑制し、かつ、アクセス速度の高速化が可能な不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】磁化反転が生じる電流値と供給時間との間には、単調減少の関係がある。これは、供給時間を短くすることで、磁化反転が生じるためのしきい電流値が高くなることを意味する。そのため、読出しディスターブの発生を抑制する観点からは、読出し電流の供給時間を短くすることにより、磁化反転が生じる電流のしきい値を高めて、読出しディスターブマージンを十分に確保できる。 したがって、読出し電流の供給時間を書込み電流の供給時間に比較して短くすることで、読出しディスターブマージンを確保し、読出しディスターブの発生を抑制することができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
行列状に配置される複数のメモリセルと、 前記複数のメモリセルが配置される列の各々に対応して設けられる第1および第2の電流供給線と、 第1および第2の電流供給線を介して、選択したメモリセルへ書込み電流を供給してデータの書込み、および、選択したメモリセルへ読出し電流を供給してデータの読出し、を実行するデータ書込読出回路とを備え、 前記複数のメモリセルの各々は、書込みデータに応じた方向に流れる前記書込み電流を受けて不揮発的に抵抗値を変化させ、 前記データ書込読出回路は、 前記読出し電流を供給することにより検出される前記選択したメモリセルの抵抗値に基づいてデータを読出し、かつ、 前記読出し電流の供給時間が前記書込み電流の供給時間に比較して短くなるように、前記読出し電流を供給する、不揮発性記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82
FI (5件)：
G11C11/15 150 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 140 ,  H01L29/82 Z
Fターム (34件)：
4M119AA05 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119EE28 ,  4M119GG02 ,  4M119HH01 ,  4M119HH04 ,  4M119HH05 ,  4M119HH07 ,  5F092AA03 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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