シリコンウェーハ表面の金属汚染分析方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247691
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077158
特許番号：特許第3439395号
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコンウェーハ表面を薬液に接液させて該薬液中に該シリコンウェーハ表面の金属汚染物質を溶解して回収し、前記薬液中の前記金属汚染物質濃度を定量分析するシリコンウェーハ表面の金属汚染分析方法において、前記薬液として純水で希釈した希釈王水を使用する方法であって、前記薬液の希釈王水中の37重量%塩酸(HCl),70重量%硝酸(HNO3 ),純水の体積比が3:1:x(ただし、xは2〜8の正数)で表されることを特徴とするシリコンウェーハ表面の金属汚染分析方法。

IPC (4件)：