特許

J-GLOBAL ID：201103046889576220

同期式半導体記憶装置

発明者： 松永 礼司
出願人/特許権者： NECマイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305296
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115199
特許番号：特許第3705759号
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】外部入力のクロック信号に同期して動作しクロックサイクルごとに外部メモリ制御信号をコマンド信号として入力しアクティブコマンド,ライトコマンド,プリチャージコマンドに対応して内部でアクティブ動作,ライト動作,プリチャージ動作を行う同期式半導体記憶装置において、テストモード時に前記ライトコマンドに対応して前記ライト動作に続いてクロック非同期で遅延して前記プリチャージ動作を行い且つ前記プリチャージコマンドに対応して前記プリチャージ動作の代わりに前記アクティブ動作を行うことを特徴とする同期式半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 29/00 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/3185 ,  G11C 11/401 ,  G11C 11/407

FI (6件)：

G11C 29/00 671 M ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 371 A ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 W

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-345074   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体メモリ用のテスト回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-106681   出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社