特許
J-GLOBAL ID:201103046942439303

半導体装置の製造方法及び回路部材接続用接着シート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-024428
公開番号(公開出願番号):特開2011-165761
出願日: 2010年02月05日
公開日(公表日): 2011年08月25日
要約:
【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図るとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に樹脂封止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】バンプ22とその上に設けられたはんだボール24とからなる突起電極を有する半導体ウェハ20面上に、粘接着剤層2及び弾性率が450MPa以下であるプラスチックシート1をこの順に備える接着シートを、粘接着剤層2が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、半導体ウェハ20の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ20及び粘接着剤層2を切断して粘接着剤付き半導体素子を得る工程と、熱圧着して配線回路基板と半導体素子とがはんだボール24を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が粘接着剤2により封止された構造の半導体装置を得る工程と、を備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
バンプと該バンプ上に設けられたはんだボールとからなる突起電極を有する半導体ウェハの前記突起電極が形成されている面上に、粘接着剤層及び弾性率が450MPa以下であるプラスチックシートをこの順に備える接着シートを、前記粘接着剤層が前記突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、 前記接着シートが貼り付けられた前記半導体ウェハの前記突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して前記半導体ウェハを薄厚化する工程と、 前記薄厚化した半導体ウェハ及び前記粘接着剤層を切断して粘接着剤付き半導体素子を得る工程と、 配線回路基板上に前記粘接着剤付き半導体素子を熱圧着して、前記配線回路基板と前記半導体素子とが前記はんだボールを介して電気的に接続され、前記配線回路基板と前記半導体素子との間が粘接着剤により封止された構造を有する半導体装置を得る工程と、 を備える、半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 311Q
Fターム (8件):
5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ00 ,  5F044QQ01 ,  5F044QQ03 ,  5F044RR17
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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