特許

J-GLOBAL ID：201103047051464168

誘電体薄膜,その製造方法,その電子部品

発明者： 鈴木 利昌 ,  岩崎 誉志紀 ,  森戸 健太郎 ,  関口 象一 ,  藤本 正之
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 梶原 康稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-341439
公開番号（公開出願番号）：特開2001-222913
特許番号：特許第4503810号
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸素12配位構造を持つ{X1}と、{X1}とは配位構造が異なる{X3}とを、Ca,Mg,Sr,Ba,Pbから選択した少なくとも1種の元素で構成し(ただし{X1}≠{X3})、酸素6配位構造を持つ{X2}を、Ti及びZrから選択した少なくとも1種の元素で構成し、「O」を酸素としたとき、 結晶構造が類似する基板上に形成された{X1}{X2}O3の組成を有するペロブスカイト層に、{X3}Oを挿入して、前記基板との格子不整合性に起因した格子歪みを形成したことを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (16件)：

H01B 17/60 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  C23C 14/28 ( 200 6.01) ,  C30B 29/22 ( 200 6.01) ,  H01G 4/33 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01B 3/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/24 ( 200 6.01)

FI (16件)：

H01B 17/60 A ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  C30B 29/22 Z ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 Y ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜の作製方法、層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜及び層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜を有する電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-080293   出願人：太陽誘電株式会社
• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-013251   出願人：太陽誘電株式会社

審査官引用 (2件)

• 層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜の作製方法、層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜及び層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜を有する電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-080293   出願人：太陽誘電株式会社
• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-013251   出願人：太陽誘電株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 「ペロブスカイト構造超格子の欠陥構造」

審査官引用 (1件)

• 「ペロブスカイト構造超格子の欠陥構造」