特許

J-GLOBAL ID：201103047154057951

エピタキシャル蛍光体薄膜及びその製造方法

発明者： 鯉沼 秀臣 ,  松本 祐司 ,  下村 康夫 ,  木島 直人
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  化成オプトニクス株式会社 ,  三菱化学株式会社
代理人 (3件)： 平山 一幸 ,  平山 一幸 ,  海津 保三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190271
公開番号（公開出願番号）：特開2003-003159
特許番号：特許第3608196号
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】単結晶基板と、この単結晶基板上にエピタキシャル成長した蛍光体薄膜とからなり、この蛍光体薄膜は、上記単結晶基板の結晶構造により、上記蛍光体の焼結体粉末の結晶構造とは異なる結晶構造を有し、この異なる結晶構造によって、上記蛍光体薄膜は上記蛍光体の焼結体粉末の発光強度より増大した発光強度を有することを特徴とする、エピタキシャル蛍光体薄膜。

IPC (2件)：

C09K 11/00 ,  C09K 11/67

FI (2件)：

C09K 11/00 A ,  C09K 11/67 CPQ

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ルミネセンス物質を有する装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-324425   出願人：マックス-プランク-ゲゼルシャフトツールフェルデルングデルビッセンシャフテンエー.ファウ.