特許
J-GLOBAL ID：201103047363878784
III族窒化物系半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283393
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094188
特許番号：特許第4315583号
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 n側AlGaNクラッド層、n側ガイド層、活性層、p側ガイド層、p側AlGaNクラッド層を含むIII族窒化物系半導体発光素子であって、前記p側ガイド層の屈折率が前記n側ガイド層の屈折率よりも大であり且つ前記p側ガイド層がIny Ga1-yN(0<y≦1)であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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