半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340580
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。【解決手段】活性層4を厚さが3nm以上の単一の利得層で構成すると共に、活性層4とクラッド層2,6との間に光ガイド層3,5を設ける。

請求項（抜粋）：

ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、活性層を厚さが3nm以上の単一の利得層で構成すると共に、前記活性層とクラッド層との間に光ガイド層を設けることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

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