特許

J-GLOBAL ID：201103047498625703

半導体装置およびその製造方法

発明者： 蝦名 昭彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011858
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217321
特許番号：特許第3485091号
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層内に形成された素子分離領域と、前記素子分離領域によって画定された素子形成領域と、を含み前記素子形成領域の少なくとも一つには、バイポーラトランジスタと電界効果型トランジスタとをともに含み、前記バイポーラトランジスタは、第1導電型のエミッタ領域と、第2導電型のベース領域と、第1導電型のコレクタ領域とを含み、前記電界効果型トランジスタは、ゲート電極層と、第2導電型のソース領域と、第2導電型のドレイン領域とを含み、さらに、少なくとも前記ソース領域と前記ドレイン領域との間において形成された、第1導電型ボディ領域とを有し、前記第1導電型ボディ領域と、前記コレクタ領域とは、電気的に接続され、前記ソース領域と、前記コレクタ領域とは、電気的に接続され、前記ドレイン領域と、前記ベース領域とは、電気的に接続され、さらに、一方の端部が前記ゲート電極層の側部に連続し、他方の端部が前記素子分離領域に達する第1の電極層を有し、前記ゲート電極層は、前記素子形成領域を跨ぐようにして形成され、前記電界効果型トランジスタの形成領域における前記ゲート電極層と、前記第1の電極層と、前記素子分離領域とで囲まれた第1の領域において、前記ドレイン領域が形成され、前記ゲート電極層と、前記素子分離領域とで囲まれた第2の領域において、前記ソース領域および前記コレクタ領域が形成され、前記バイポーラトランジスタの形成領域における前記ゲート電極層と、前記第1の電極層と、前記素子分離領域とで囲まれた第3の領域において、前記エミッタ領域が形成され、前記第1導電型ボディ領域は、ゲート電極層の下方において形成されている、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8249 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 27/06 321 H ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/72 Z ,  H01L 29/78 613 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-216573   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041941   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-263369
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-216573   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041941   出願人：キヤノン株式会社