特許
J-GLOBAL ID:201103047655382372

高純度シリカの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-035082
公開番号(公開出願番号):特開2002-241122
特許番号:特許第4517512号
出願日: 2001年02月13日
公開日(公表日): 2002年08月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】ケイ酸ナトリウム水溶液と鉱酸との反応によりシリカゲルの沈殿を生成させ、得られた沈殿を鉱酸で処理して不純物を抽出除去して高純度シリカを製造する方法において、ケイ酸ナトリウム水溶液と鉱酸との反応及び/又は不純物の抽出除去を、ジエチレントリアミン五酢酸の存在下で行なうことを特徴とする高純度シリカの製造方法。
IPC (1件):
C01B 33/158 ( 200 6.01)
FI (1件):
C01B 33/158
引用特許:
出願人引用 (1件)

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