基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小林茂 , 和泉良彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211952
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031515
特許番号：特許第4509433号
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板加熱用の主ヒータが外側に設けられ、該主ヒータにより反応室内の基板処理領域にあるボートに保持された複数の基板を加熱処理する基板処理装置において、前記反応室内に設けられ、原料が載置される原料昇華部と、前記反応室内の前記原料昇華部の近傍に設けられ、前記原料を加熱し、昇華させる昇華用ヒータと、前記反応室内の前記原料昇華部と前記基板処理領域との間に設けられる断熱部と、前記反応室内の前記断熱部の外周に位置する、前記原料昇華部と前記基板処理領域と連通させる連通部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：