流動性誘電体の装置およびプロセス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-508543
公開番号（公開出願番号）：特表2011-525299
出願日： 2009年04月22日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバを含むことのできる基板処理システムが記載される。このシステムは、処理チャンバの内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムも含むことができる。さらに、このシステムは、遠隔プラズマシステムから処理チャンバの内部に第1のプロセスガスを輸送するように動作可能な第1のプロセスガス流路、および遠隔プラズマシステムによって処理されない第2のプロセスガスを輸送するように動作可能な第2のプロセスガス流路を含むことができる。第2のプロセスガス流路は、処理チャンバの内部に通じ、第1のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する。

請求項（抜粋）：

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバと、前記処理チャンバの前記内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムと、前記遠隔プラズマシステムから前記処理チャンバの前記内部に第1のプロセスガスを輸送するように動作可能な第1のプロセスガス流路と、前記遠隔プラズマシステムによって処理されない第2のプロセスガスを輸送するように動作可能な第2のプロセスガス流路であって、前記処理チャンバの前記内部に通じ、前記第1のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する第2のプロセスガス流路とを備える基板処理システム。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H05H 1/46 , C23C 16/505 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L21/31 C , H05H1/46 L , H05H1/46 A , C23C16/505 , H01L21/302 101H

Fターム (41件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030DA06 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030FA04 , 4K030KA19 , 4K030KA30 , 5F004AA15 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BA11 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA01 , 5F004CA03 , 5F004CA07 , 5F004CA08 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045BB04 , 5F045BB14 , 5F045BB15 , 5F045EB06 , 5F045EE06 , 5F045EE13 , 5F045EE14 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH11 , 5F045EH12 , 5F045EH14 , 5F045HA22 , 5F045HA23

引用特許：

審査官引用 (1件)

デュアル反応チャンバプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-221093 出願人：日本エー・エス・エム株式会社

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