デュアル反応チャンバプラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹内澄夫 , 堀明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041539
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】半導体ウエハの汚染を防止し、複数の処理ガスの解離を独立に制御することが可能で、コンパクトなプラズマCVD装置を与える。【解決手段】デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた2つの反応チャンバから成る。それぞれの反応チャンバは、RF電源からのRF電力を供給するためのRF波エントリーパス及び同一のRF電源へRF電力を戻すためのRF波リターンパスを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

デュアル反応チャンバプラズマ処理装置であって、真空排気可能な第1反応チャンバと、第1高周波(RF)電源と、第1反応チャンバにガスを導入するための第1シャワープレートであって、前記第1RF電源に接続されているところの第1シャワープレートと、前記第1反応チャンバに存在するガスを通過させるための中間シャワープレートであって、前記第1シャワープレートから絶縁されているところの中間シャワープレートと、筐体内の第1RFマッチング回路であって、前記第1シャワープレートに接続されており、前記筐体は前記中間シャワープレートに結合されており、前記第1RFマッチング回路を介して前記第1RF電源から前記第1シャワープレートへ印加されたRF電力は、中間シャワープレート及び前記第1RFマッチング回路用の筐体を介して前記第1RF電源に戻る、ところの第1RFマッチング回路と、排気可能な第2反応チャンバと、第2RF電源と、被処理体を支持するための支持体であって、前記第2RF電源に第2マッチング回路を介して接続され、前記第2反応チャンバ内にガスを導入するように構成された前記中間シャワープレートとは絶縁されているところの支持体と、筐体内の第2RFマッチング回路であって、前記支持体に接続されており、前記筐体は前記中間シャワープレートに結合されており、前記第2RFマッチング回路を介して前記第2RF電源から前記支持体へ印加されたRF電力は、前記中間シャワープレート及び第2RFマッチング回路用の筐体を介して第2RF電源に戻る、ところの第2RFマッチング回路と、から成る装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , C23C 16/505 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101B , C23C16/505 , H01L21/205 , H05H1/46 M

Fターム (26件)：

4K030FA03 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F004AA16 , 5F004BA09 , 5F004BB11 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EF05 , 5F045EF14 , 5F045EH14 , 5F045EH19

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平3-204925号

審査官引用 (7件)

特開昭57-131373
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-252961 出願人：ソニー株式会社
プラズマ処理装置,プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム,検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-341076 出願人：アルプス電気株式会社, 大見忠弘

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