半導体記憶装置およびデータ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 手島勝 , 藤田篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339407
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141881
特許番号：特許第4066308号
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体記憶装置であって、通常読み出し領域および高速読み出し領域を有するメモリアレイと、前記通常読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すときは当該メモリセルに対応するワード線を選択し、前記高速読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すときは当該メモリセルに対応するワード線と前記高速読み出し領域に含まれている他のワード線とを選択する行デコーダと、データを読み出すべきメモリセルに対応するビット線を選択する列デコーダとを備え、前記高速読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すときに前記行デコーダによって選択されるワード線と前記列デコーダによって選択される各ビット線とによって特定されるメモリセルの各々には同一のデータが書き込まれており、前記高速読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出す場合には、読み出し動作を開始すべき旨の信号の遷移エッジからセンスアンプ信号の遷移エッジまでの時間を、前記通常読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出す場合よりも短くし、前記半導体記憶装置は、前記列デコーダによって選択されたビット線にメモリセルから読み出されたデータをデータ出力線に転送する読み出し回路をさらに備え、前記行デコーダは、前記高速読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すとき、選択すべきワード線と前記列デコーダによって選択されるビット線とによって特定されるメモリセルの各々と前記読み出し回路との間のビット線の平均長の、データを読み出すべきメモリセルの位置によるばらつきが小さくなるように前記他のワード線を選択することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) , G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 17/00 613 , G11C 17/00 633 A , G11C 17/00 601 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許第3623756号
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253594 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-057293

審査官引用 (3件)

特許第3623756号
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253594 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-057293

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