特許
J-GLOBAL ID：201103048542222197

半導体記憶装置の動作制御方法および半導体記憶装置

発明者：
鈴木 孝章

鈴木 孝章 について

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内田 敏也

内田 敏也 について

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佐藤 光徳

佐藤 光徳 について

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柳下 良昌

柳下 良昌 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  鈴木 榮祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076045
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028190
特許番号：特許第4034923号
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 内部回路を制御する複数の動作モードを備えた半導体記憶装置の動作制御方法において、 前記動作モードの1つを選択するために複数のコマンドを順次取り込み、動作モードを絞り込んでいき、 順次供給されるコマンドのうち第1コマンドに応じて、書き込み動作モードと読み出し動作モードとを区別し、前記書き込み動作モードと前記読み出し動作モードとに共通する回路の動作を第1動作の一部として開始し、 順次供給されるコマンドのうち第1コマンドに続く第2コマンドが前記第1動作を必要とするとき、前記第1動作を継続し、 第2コマンドが前記第1動作の継続を必要としないとき、第2コマンドに応答して前記第1動作を停止し、 前記継続を必要としない第2コマンドが第2動作を必要とするとき、前記第2動作は第2コマンドにより開始されることを特徴とする半導体記憶装置の動作制御方法。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ( 200 6.01) ,  G11C 11/401 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 371 K ,  G11C 11/34 362 C ,  G11C 11/34 362 Z
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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