特許
J-GLOBAL ID：201103048552354148

ダイナミックメモリ及びダイナミックメモリの製造方法

発明者：
岩松 誠一

岩松 誠一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180753
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082783
特許番号：特許第3599607号
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板と、前記基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に直接形成された酸化タンタルあるいは酸化チタンを構成要素とする高誘電率酸化物膜と、前記高誘電率酸化物膜の上面に、相互に対向する位置に形成された第一の電極及び第二の電極とを有することを特徴とするダイナミックメモリ。
IPC (6件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/108
FI (4件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 特開平3-142973
  • 特開昭64-066897
  • 特開平4-208565
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