特許
J-GLOBAL ID：201103049231270143
ジエン錯体を製造するための統合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
斉藤 武彦
, 畑 泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-535647
特許番号：特許第4577676号
出願日： 1999年03月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 式MX2Dに相当する周期律表4族金属錯体又はそのルイス塩基付加物を式
(L-A-L)M ́ ́n
の化合物と任意の順序で接触させ、そして得られる生成物を採取することからなる式
(L-A-L)MDに相当する金属錯体又はそのルイス塩基付加物を製造する方法;但し式中、
Mは、+2形式酸化状態のチタン、ジルコニウム又はハフニウムであり、
M ́ ́は、水素、又は周期律表1族の金属カチオン、周期律表2族の金属或いは亜鉛のジカチオン、マグネシウム或いは亜鉛のモノハライドカチオン、トリ(C1-20ヒドロカルビル)シリル基、モノ(C1-20ヒドロカルビル)アルミニウム基、ジ(C1-20ヒドロカルビル)アルミニウム基又はモノ(C1-20ヒドロカルビル)亜鉛基であり、但しM ́ ́は反応条件下で反応しやすく、Lは、Aに結合するアニオン性リガンド基であるが、但し式(L-A-L)M ́ ́nにおいて、M ́ ́が水素又はシリルであるとき、LはAに結合している中性のリガンド基である場合を除くものであり、そして該L基は水素を除いて50個以内の原子を含み、
Aは、2個のL基を結合している2価の橋かけ基であり、
Dは、1つ以上のヒドロカルビル基、シリル基、ヒドロカルビルシリル基、シリルヒドロカルビル基又はこれらの混合物により置換されている1、3-ブタジエンの中性の置換された誘導体であり、そして該置換基の少なくとも1つが1-位又は4-位に位置し、該Dは水素を除いて5-40個の原子を有し、
Xは、それぞれの場合独立して、水素を除いて50個以内の原子の1価のアニオン性脱離基であり、
nは1又は2である。
IPC (6件)：
C07F 17/00 ( 200 6.01)
, C07F 9/50 ( 200 6.01)
, C07F 7/00 ( 200 6.01)
, C07F 7/28 ( 200 6.01)
, C08F 4/642 ( 200 6.01)
, C08F 10/00 ( 200 6.01)
C07F 17/00
, C07F 9/50
, C07F 7/00 A
, C07F 7/00 Z
, C07F 7/28 F
, C08F 4/642
, C08F 10/00
