特許

J-GLOBAL ID：201103049248953163

フォトレジスト単量体とその製造方法

発明者： 李 根守 ,  崔 彰日 ,  金 炯秀 ,  金 珍秀 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-159717
特許番号：特許第3794883号
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体。 前記式で、 XはCH2、CH2CH2、またはOであり、 R1は水素または-R'OHであり、 R2は-OH、炭素数C1〜C5の直鎖または枝分れ状のアルコキシ、-OR''OH、または-(O-R''')n-OHであるが、 このときR'及びR''は、それぞれ炭素数C1〜C5の直鎖または枝分れ状のアルキレンまたは炭素数C3〜C8のシクロアルキレンであり、R'''は炭素数C2〜C5のアルキレンで、nは2〜5のいずれかの整数である。

IPC (6件)：

C07C 43/317 ( 200 6.01) ,  C07C 41/16 ( 200 6.01) ,  C07C 43/315 ( 200 6.01) ,  C08F 32/04 ( 200 6.01) ,  C08F 34/02 ( 200 6.01) ,  G03F 7/027 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C07C 43/317 ,  C07C 41/16 ,  C07C 43/315 ,  C08F 32/04 ,  C08F 34/02 ,  G03F 7/027

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体、溶解制御剤及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-113197   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭60-196755