特許
J-GLOBAL ID：200903019394449650
ジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体、溶解制御剤及び化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113197
公開番号（公開出願番号）：特開平9-278699
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示されるジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体。(式中、Xは2価又は3価のモノテルペン炭化水素基を示し、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子、直鎖状又は分枝状のアルキル基等である。R4は水素原子又は酸不安定基であるが、R4の少なくとも1つは酸不安定基である。nは1〜5の整数、j,k,mはそれぞれ0〜4の整数で、n+j+k+m=5を満足する。pは2又は3である。)【効果】 式(1)の化合物は、これを化学増幅ポジ型レジスト材料に配合することにより、たとえば遠紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体。【化1】(式中、Xは2価又は3価のモノテルペン炭化水素基を示し、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子、直鎖状又は分枝状のアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルケニル基、又はアリール基である。R4は水素原子又は酸不安定基であるが、R4の少なくとも1つは酸不安定基である。nは1〜5の整数、j,k,mはそれぞれ0〜4の整数で、n+j+k+m=5を満足する。pは2又は3である。)
IPC (9件)：
C07C 43/205
, C07C 43/30
, C07C 69/28
, C07C 69/30
, C07F 7/08
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
C07C 43/205 C
, C07C 43/30
, C07C 69/28
, C07C 69/30
, C07F 7/08 R
, C07F 7/08 G
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/30 502 R
