特許

J-GLOBAL ID：201103049395109858

半導体装置

発明者： 早崎 嘉城 ,  ▲高▼野 仁路 ,  鈴村 正彦 ,  鈴木 裕二 ,  白井 良史 ,  岸田 貴司 ,  吉田 岳司 ,  吉原 孝明
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391436
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244472
特許番号：特許第4106869号
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の一表面上に絶縁層を介して形成された半導体層を有し、前記半導体層に形成された第1導電形のドレイン領域と、前記半導体層に前記ドレイン領域と離間して形成された第2導電形のウェル領域と、前記ウェル領域に形成された第1導電形のソース領域と、前記半導体層において前記ドレイン領域端と前記ウェル領域端との間に介在するドリフト領域と、前記ウェル領域における前記ソース領域と前記ドリフト領域との間の部位上に形成されたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とを備え、前記ドリフト領域の不純物濃度を前記半導体層の表面に沿った横方向および前記半導体層に垂直な縦方向それぞれについて前記ドレイン領域から離れるにしたがって低くなるように設定してなり、前記ドリフト領域において、横方向の不純物濃度は前記ドレイン領域から横方向への距離を変数とするガウス分布にしたがって変化し、縦方向の不純物濃度は前記ドレイン領域から縦方向への距離を変数とするガウス分布にしたがって変化し、前記ゲート電極を前記ドリフト領域の一部に重なるように延設し、前記ドリフト領域において前記ゲート電極の直下の領域の不純物濃度がリサーフ条件を満足する不純物濃度よりも低く設定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 622

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-273165
  
• 誘電体分離型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-314030   出願人：松下電工株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平4-273165
  
• 誘電体分離型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-314030   出願人：松下電工株式会社