特許
J-GLOBAL ID：201103049472809906
熱電半導体とそれを用いた熱電発電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-172597
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029351
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】希土類ホウケイ化物からなるn型の熱電半導体であって高密度のものを提供する。【解決手段】n型熱電半導体は、希土類ホウケイ化物にチタン、モリブデンまたはロジウムが添加され、その密度が100%であり、その組成が以下の式1に示すものである。<式1>また、n型熱電半導体において、その希土類元素(RE)が三価の希土類元素であること、さらに、p型半導体33とn型半導体32が一体化されてなる熱電発電素子31であって、p型素子として希土類ホウケイ化物からなる熱電半導体を用い、n型半導体32として発明1から3のいずれかのn型熱電半導体を用いた。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
希土類ホウケイ化物からなるn型熱電半導体であって、前記希土類ホウケイ化物にチタン、モリブデンまたはロジウムが添加され、その密度が100%であることを特徴とするn型熱電半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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