特許

J-GLOBAL ID：201103049669060621

銅被膜の選択形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 大宮 可容子 ,  鈴木 啓之 ,  山田 啓作
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196208
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023931
特許番号：特許第4138166号
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上の親水性の下地膜表面に表面が疎水性となる薄膜を形成する工程と、 前記薄膜の銅被膜形成予定領域に開口部を形成して前記下地膜を露出する工程と、 前記基板温度を220°C以下にして銅のCVDを行なって、主に前記薄膜の開口部から露出した下地膜に銅被膜を堆積する工程と、 前記薄膜を除去する工程と を具備したことを特徴とする銅被膜の選択形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  C23C 16/04 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 616 K ,  C23C 16/04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-226577   出願人：日本電気株式会社
• 銅の選択堆積方法および接着性導電体界面
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198989   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 特開平4-042533
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-226577   出願人：日本電気株式会社
• 銅の選択堆積方法および接着性導電体界面
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198989   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 特開平4-042533