特許
J-GLOBAL ID：200903085608765949
銅の選択堆積方法および接着性導電体界面
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116799
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 非導電性表面と共存する導電性表面にCVD銅を選択的に堆積する方法および接着性導電体界面を提供する。【解決手段】 導電性表面と非導電性表面の両方を不活性ガスの低エネルギーイオンエッチングによって調製する。エッチングは該導電性表面の銅の堆積を促進する。エッチングの後、CVD銅を堆積し、その後再び表面はエッチングされて非導電性表面から残余銅が除去され、銅のさらなる堆積に対する表面が再び調整される。エッチングと銅の堆積の繰り返しサイクルによって、導電性表面に銅が蓄積され希望の厚さを達成するが、一方非導電性表面には銅が存在しないままである。
請求項（抜粋）：
選択された集積回路(IC)表面に銅(Cu)を選択堆積する方法であって、該選択された表面が、ICの選択された領域に付与される導電性表面と非導電性表面とを含み、該方法は、a)それぞれの選択された表面をイオン源に曝露するステップと、b)それぞれの選択された表面をエッチングして、非導電性表面に集められた汚染物質と不用なIC材料とを除去するステップと、c)ステップa)で曝露されたそれぞれの選択された表面にCVD銅を付与して、導電性表面に比較的厚い銅層を形成し、このことにより、ステップa)における該選択された表面の曝露は銅が堆積する速度の変化を促進するステップと、を包含する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/88 M
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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