欠陥検査用半導体基板、半導体基板の検査方法および半導体基板検査用モニター装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265145
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093951
特許番号：特許第3769996号
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、この半導体基板上に、膜形成部と非膜形成部を配置してなるパターンにおける、照射光に対する上記膜形成部と非膜形成部との下式(1) コントラスト値=|R2-R3|/(R2+R3) ・・(1) (式中、R2は膜形成部での反射率、R3は非膜形成部での反射率である。) で示されるコントラストを、上記半導体基板とパターンの膜形成部とのコントラストより小さくなるようにする下地膜とを備えた欠陥検査用半導体基板。

IPC (2件)：